- 데모 보드 유형: 팔
- 브랜드 이름: HQXRTEK
- 근원: CN (정품)
트랜지스터 테스터 다이오드 Triode 커패시턴스 ESR 미터 Mos + 케이스 + 리튬 이온 배터리
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트랜지스터 테스터 다이오드 Triode 커패시턴스 ESR 미터 Mos + 케이스 + 리튬 이온 배터리
2014 버전, 케이스 포함
설명:
1,2014 최신M328 버전소프트웨어의, 기능 더.칩: Atmega328
2.12864 백라이트 LCD 디스플레이, 만 2mA 때 서.
3,붙박이 rechargable li 이온 건전지, 마이크로 USB 위탁 inteface.
4, 무게: 96g
새로운 기능:
1:NPN 및 PNP 트랜지스터, n 채널 및 p 채널 MOSFET, 다이오드 (이중 다이오드 포함), 사이리스터, 트랜지스터, 저항 및 커패시터 및 기타 구성 요소의 자동 감지
2: 자동 테스트 구성 요소의 핀 및 LCD 디스플레이
3:트랜지스터, MOSFET 보호 다이오드 증폭 계수 및 발광기 트랜지스터 앞으로 편향된 전압을 결정하기 위하여 기초를 검출할 수 있습니다
4:MOSFET 임계 값 전압의 게이트 및 게이트 커패시턴스 측정
5:녹색 역광선을 가진 12864 액정 전시를 사용하십시오
사양: 당신을 위해 참조
1의 1 단추 가동, 자동적인 폐쇄.
2, 20nA 셧다운.
3,Utomatically NPN, PNP 바이폴라 트랜지스터, N 채널 및 P 채널 MOS FET, JFET, 다이오드, 2 다이오드, 사이리스터 작은 전력 단방향 및 양방향 사이리스터를 감지합니다.
4, 자동 식별 구성 요소 핀 배열.
5, 측정 바이폴라 트랜지스터 전류 증폭 요인 및 기본 이미 터 임계 값 전압.
6, 베이스 이미 터 임계 값 전압 및 높은 전류 증폭 요인을 통해 달링턴 트랜지스터를 식별 합니다.
7, 감지 바이폴라 트랜지스터 및 MOS 트랜지스터 보호 다이오드.
8, 게이트 MOS FET 임계 값 전압 및 게이트 커패시턴스 측정.
9, 동시에 두 개의 저항기를 측정 할 수 있으며 저항 기호가 표시됩니다.4. 의 소수값으로 오른쪽에 표시됩니다.양측에 저항 상징은 핀 번호를 보여줍니다.그래서 당신은 potentiometer 차계를 측정 할 수 있습니다.전위차계 와이퍼가 극단적 인 위치로 옮겨지지 않으면 핀의 중간 및 양쪽 끝을 구별 할 수 있습니다.
10, 저항 측정 해상도 0.1 옴, 50M 옴 측정 될 수 있습니다.
11, 수 측정 용량30pF-100mF 의 해결책 1pf의 수용량을 측정할 수 있습니다.
12.2 미크로포맷 더 많은 capacitors 터는 동등한 시리즈 저항 ESR 값을 동시에 측정 할 수 있습니다.두는 소수값, 해상도 0.01 옴으로 표시 할 수 있습니다.
13 수 올바른 순서 다이오드 기호 디스플레이 두 다이오드 제공합니다 다이오드 앞으로.
14. Led는 높은 다이오드 앞으로 전압으로 검출됩니다.Led의 결합은 2개의 다이오드로 확인됩니다.
15,Eeverse 고장 전압은 4.5V 제너다이오드보다 적게 확인될 수 있습니다.
16, 단일 다이오드 역 커패시턴스 측정 할 수 있습니다.핀의 기초 그리고 수집가 또는 에미터에 연결된 양극 트랜지스터가 수집기 또는 이미 터 접속점 반전 capacitance 턴스를 측정할 수 있는 경우에.
18 얻을 단일 측정 정류기 브리지 연결.
주의 사항: capacitance 턴스를 측정하기 전에 capacitor 터는 출력되어야합니다. 그렇지 않으면 미터를 손상시킬 가능성이 높습니다.