• Á¶°Ç: »õ·Î¿î
  • À¯Çü: ³í¸® ICS
  • ºê·£µå À̸§: Olaraine
  • ¿ø»êÁö: Áß±¹


Á¦Á¶¾÷ü: ÅØ»ç½º ¾Ç±â

Á¦Ç° Ä«Å×°í¸®: Á¤¹Ð ÁõÆø±â

ä³Î ¼ö: 2 ä³Î

GBP-°ÔÀÎ ´ë¿ªÆø Á¦Ç°: 18 MHz

SR-½½·Î ¼Óµµ: 6.4 V/us

Vos-ÀÔ·Â ¹ÙÀ̾ Àü¾Ð: 35 uV

Ib-ÀÔ·Â ¹ÙÀ̾ Àü·ù: 2 nA

°ø±Þ Àü¾Ð-ÃÖ´ë: 36 V, +/- 18 V

°ø±Þ Àü¾Ð-ÃÖ¼Ò: 4.5 V, +/- 2.25 V

ÀÛµ¿ °ø±Þ Àü·ù: 2.2 mA

ä³Î ´ç Ãâ·Â Àü·ù: 65 mA

CMRR-°øÅë ¸ðµå °ÅºÎ ºñÀ²: 120 dB

En-ÀÔ·Â Àü¾Ð ³ëÀÌÁî ¹Ðµµ: 2.2 nV/sqrt Hz

ÆÐŰÁö: SOIC-8

¼³Ä¡ ½ºÅ¸ÀÏ: SMD/SMT

Á¾·á: Á¾·á ¾øÀ½

ÃÖ¼Ò ÀÛµ¿ ¿Âµµ: -40 ¡É

ÃÖ´ë ÀÛµ¿ ¿Âµµ: + 125 C

ÀÔ·Â ³ëÀÌÁî Àü·ù ¹Ðµµ: 400 fA/sqrt Hz

Ios-ÀÔ·Â ¹ÙÀ̾ Àü·ù: 2 nA

ÃÖ´ë ÀÌÁß °ø±Þ Àü¾Ð: +/- 18 V

ÃÖ¼Ò ÀÌÁß °ø±Þ Àü¾Ð: +/- 2.25 V

½Àµµ °¨µµ: ¿¹

Ãâ·Â À¯Çü: ·¹ÀÏ-Åõ-·¹ÀÏ

Á¦Ç°: ÀÛµ¿ ÁõÆø±â

Á¦Ç° À¯Çü: Á¤¹Ð ÁõÆø±â

ÇÏÀ§ Ä«Å×°í¸®: ¾ÚÇÁ IC

THD + ¼ÒÀ½: 0.000025%