Á¦Á¶¾÷ü: ÅØ»ç½º ¾Ç±â
Á¦Ç° Ä«Å×°í¸®: Á¤¹Ð ÁõÆø±â
ä³Î ¼ö: 2 ä³Î
GBP-°ÔÀÎ ´ë¿ªÆø Á¦Ç°: 18 MHz
SR-½½·Î ¼Óµµ: 6.4 V/us
Vos-ÀÔ·Â ¹ÙÀ̾ Àü¾Ð: 35 uV
Ib-ÀÔ·Â ¹ÙÀ̾ Àü·ù: 2 nA
°ø±Þ Àü¾Ð-ÃÖ´ë: 36 V, +/- 18 V
°ø±Þ Àü¾Ð-ÃÖ¼Ò: 4.5 V, +/- 2.25 V
ÀÛµ¿ °ø±Þ Àü·ù: 2.2 mA
ä³Î ´ç Ãâ·Â Àü·ù: 65 mA
CMRR-°øÅë ¸ðµå °ÅºÎ ºñÀ²: 120 dB
En-ÀÔ·Â Àü¾Ð ³ëÀÌÁî ¹Ðµµ: 2.2 nV/sqrt Hz
ÆÐŰÁö: SOIC-8
¼³Ä¡ ½ºÅ¸ÀÏ: SMD/SMT
Á¾·á: Á¾·á ¾øÀ½
ÃÖ¼Ò ÀÛµ¿ ¿Âµµ: -40 ¡É
ÃÖ´ë ÀÛµ¿ ¿Âµµ: + 125 C
ÀÔ·Â ³ëÀÌÁî Àü·ù ¹Ðµµ: 400 fA/sqrt Hz
Ios-ÀÔ·Â ¹ÙÀ̾ Àü·ù: 2 nA
ÃÖ´ë ÀÌÁß °ø±Þ Àü¾Ð: +/- 18 V
ÃÖ¼Ò ÀÌÁß °ø±Þ Àü¾Ð: +/- 2.25 V
½Àµµ °¨µµ: ¿¹
Ãâ·Â À¯Çü: ·¹ÀÏ-Åõ-·¹ÀÏ
Á¦Ç°: ÀÛµ¿ ÁõÆø±â
Á¦Ç° À¯Çü: Á¤¹Ð ÁõÆø±â
ÇÏÀ§ Ä«Å×°í¸®: ¾ÚÇÁ IC
THD + ¼ÒÀ½: 0.000025%